2MP CMOS 이미지 센서 IC
,MT9D131C12STC
,MT9D131C12STC 이미지 센서 IC
MT9D131C12STC-DR 센서 이미지 2MP CMOS 48-CLCC 온세미 변환기 이미지 센서 IC
신청:
• 네트워크 보안 카메라
• ePTZ 카메라
• 고해상도 보안 카메라
• 무선 카메라
• 소비자 비디오 제품
기능 • 우수한 저조도 성능 • 초저전력, 비용 효율성 • 온칩 위상 고정 루프 발진기(PLL)로 생성된 내부 마스터 클록 • 전자 롤링 셔터(ERS), 프로그레시브 스캔 • 통합 이미지 흐름 프로세서(IFP) ) 싱글 다이 카메라 모듈용 • 렌즈 음영 수정을 포함한 자동 이미지 수정 및 향상 • 앤티앨리어싱을 통한 임의 이미지 제거 • 통합 실시간 JPEG 인코더 • 유연성을 위한 통합 마이크로컨트롤러 • 레지스터 및 마이크로컨트롤러에 대한 액세스를 제공하는 2선 직렬 인터페이스 메모리 • 선택 가능한 출력 데이터 형식: ITU-R BT.601(YCbCr), 565RGB, 555RGB, 444RGB, JPEG 4:2:2, JPEG 4:2:0 및 원시 10비트 • 데이터 속도 균등화를 위한 출력 FIFO • 프로그래밍 가능한 I/O 슬루율.
관련 제품이 흥미로울 수 있습니다.
1. 주문 정보
제품 코드 | 온도 코드 | 패키지 코드 | 옵션 코드 | 포장 형태 코드 |
MLX90316 | 에스 | DC | BCG-000 | 답장 |
MLX90316 | 이자형 | DC | BCG-000 | 답장 |
MLX90316 | 케이 | DC | BCG-000 | 답장 |
MLX90316 | 엘 | DC | BCG-000 | 답장 |
MLX90316 | 이자형 | 가다 | BCG-000 | 답장 |
MLX90316 | 케이 | 가다 | BCG-000 | 답장 |
MLX90316 | 엘 | 가다 | BCG-000 | 답장 |
MLX90316 | 케이 | DC | BCG-200 | 답장 |
MLX90316 | 케이 | 가다 | BCG-200 | 답장 |
MLX90316 | 케이 | DC | BCG-300 | 답장 |
MLX90316 | 케이 | 가다 | BCG-300 | 답장 |
MLX90316 | 이자형 | DC | BDG-100 | 답장 |
MLX90316 | 케이 | DC | BDG-100 | 답장 |
MLX90316 | 엘 | DC | BDG-100 | 답장 |
MLX90316 | 이자형 | 가다 | BDG-100 | 답장 |
MLX90316 | 케이 | 가다 | BDG-100 | 답장 |
MLX90316 | 엘 | 가다 | BDG-100 | 답장 |
MLX90316 | 엘 | 가다 | BDG-102 | 답장 |
MLX90316 | 엘 | DC | BDG-102 | 답장 |
MLX90316 | 엘 | DC | BCS-000 | 답장 |
전설:
온도 코드: S: -20 Deg.C ~ 85 Deg.C
E: -40 Deg.C ~ 85 Deg.C
K: -40 Deg.C ~ 125 Deg.C
L: -40 Deg.C ~ 150 Deg.C
패키지 코드: SOIC-8 패키지의 경우 "DC"
TSSOP-16 패키지용 "GO"(듀얼 다이)
옵션 코드: AAA-xxx: 다이 버전
xxx-000: 표준
xxx-100: SPI
xxx-102: SPI75AGC, 섹션 참조 13.4.2
xxx-200: PPA(사전 프로그래밍된 아날로그)
xxx-300: PPD(사전 프로그래밍된 디지털)
포장 형태: 릴의 경우 "RE"
튜브의 "TU"
주문 예: MLX90316KDC-BCG-000-TU
용어집
가우스(G), 테슬라(T) 자속 밀도 단위 - 1mT = 10G
TC 티온도 씨효율(ppm/Deg.C.)
체크 안함 N오 씨연결된
PWM 피울세 여아이디 중변조
%DC 디유티 씨출력 신호의 주기 즉 T켜짐 /(티켜짐 + 티끄다)
ADC ㅏ아날로그디디지털 씨인버터 DAC 디디지털-투-ㅏ아날로그 씨인버터
LSB 엘동쪽 에스중요한 비그것은 MSB 중ost 에스중요한 비그것
DNL 디차별적 N켜짐-엘근심 INL 나적분 N켜짐-엘근심
RISC 아르 자형교육받은 나지시 에스외 씨컴퓨터
ASP ㅏ아날로그 에스신호 피프로세싱 DSP 디디지털 에스신호 피처리
ATAN 삼각 함수: 아크탄젠트(또는 역탄젠트) IMC 나통합 중아그네토-씨집중 장치(IMC®)
코디 공동세로 아르 자형오타 디지탈 씨컴퓨터(즉, 직사각형에서 극으로의 반복 변환)
EMC 이자형전자중자기적 씨호환성
4. 핀아웃
핀 |
SOIC-8 TSSOP-16 아날로그 / PWM 직렬 프로토콜 아날로그 / PWM 직렬 프로토콜 |
1 VDD VDD VDIG1 VDIG1
2 테스트 0 테스트 0 VSS1 (지면1) VSS1 (지면1)
3 스위치 OUT /SS VDD1 VDD1
4 미사용 / OUT 2 (2) SCLK 테스트 01 테스트 01
5 OUT MOSI / MISO 스위치 OUT2 /봄 여름 시즌2
6 테스트 1 테스트 1 사용하지 않음2 SCLK2
7 VDIG VDIG OUT2 MOSI2 / 미소2
8 VSS(접지) VSS(접지) 테스트 12 테스트 12
9 VDIG2 VDIG2
10 VSS2 (지면2) VSS2 (지면2)
11 VDD2 VDD2
12 테스트 02 테스트 02
13 스위치 아웃1 /봄 여름 시즌1
14 미사용1 SCLK1
15 OUT1 MOSI1 / 미소1
16 테스트 11 테스트 11
최적의 EMC 동작을 위해 사용하지 않는 핀(미사용 및 테스트)을 접지에 연결하는 것이 좋습니다.
5. 절대 최대 등급
매개변수 값
공급 전압, VDD(과전압) + 20V
역전압 보호 - 10V
포지티브 출력 전압 – 표준 버전 + 10V
(아날로그 또는 PWM) + 14V(최대 200초 – Tㅏ = + 25 °C)
양의 출력 전압 – SPI 버전 VDD + 0.3V
포지티브 출력 전압(스위치 아웃) |
+ 10V + 14V(최대 200초 – Tㅏ = + 25 °C) |
출력 전류(IOUT) ± 30mA
역 출력 전압 - 0.3V
역출력 전류 - 50mA
작동 주변 온도 범위, Tㅏ - 40 Deg.C … + 150 Deg.C
보관 온도 범위, T에스 - 40 Deg.C … + 150 Deg.C
자속 밀도 ± 700mT
절대 최대 정격을 초과하면 영구적인 손상을 일으킬 수 있습니다.절대 최대 노출 -
장기간 정격 조건은 장치 신뢰성에 영향을 미칠 수 있습니다.
(단선 진단) (7) | BVSSPU |
깨진 VSS (8) & 풀업 하중 R엘 ≥ 1kΩ |
99 100%VDD | |||||||||||||
BVDDPD |
깨진 VDD (8) & 풀다운 하중 R엘 ≥ 1kΩ |
0 1 %VDD | ||||||||||||||
BVDDPU |
깨진 VDD 및 최대 5V의 풀업 부하 |
깨진 트랙 없음 진단 %VDD |
||||||||||||||
고정 출력 레벨 (9) |
Clamp_lo 프로그래밍 가능 0 100 %VDD Clamp_hi 프로그래밍 가능 0 100 %VDD |
|||||||||||||||
스위치 아웃 (10) |
Sw_lo 풀업 부하 1.5kΩ ~ 5V 0.55 1.1V Sw_hi 풀업 부하 1.5kΩ ~ 5V 3.65 4.35V |
7. 절연 사양
VDD = 5V(달리 지정되지 않는 한) 및 T에 대한 DC 작동 매개변수ㅏ 에 의해 지정된
온도 접미사(S, E, K 또는 L).패키지 코드 GO, 즉 이중 다이 버전에만 유효합니다.
매개변수 기호 테스트 조건 최소 일반 최대 단위
주사위 사이의 절연 저항 4 MΩ
8. 타이밍 사양
VDD = 5V(달리 지정되지 않는 한) 및 T에 대한 DC 작동 매개변수ㅏ 에 의해 지정된
온도 접미사(S, E, K 또는 L).
매개변수 기호 테스트 조건 최소 일반 최대 단위
메인 클럭 주파수 Ck |
슬로우 모드 (11) 빠른 모드 (11) |
7 20 |
MHz MHz |
|||||||||||||
샘플링 비율 |
슬로우 모드 (11) 빠른 모드 (11) |
600 200 |
μs μs |
|||||||||||||
단계 응답 시간 Ts |
4 600 |
ms μs |
||||||||||||||
Watchdog Wd 섹션 참조 14 5ms
시작 주기 Tsu 저속 및 고속 모드 (11) 15ms
아날로그 출력 슬루율 |
씨밖 = 42nF 씨밖 = 100nF |
200 100 |
V/ms V/ms |
PWM 주파수 FPWM PWM 출력 활성화 100 1000 Hz
디지털 출력 상승 시간 |
모드 5 – 10nF, R엘 = 10kΩ 모드 7 – 10nF, R엘 = 10kΩ |
120 2.2 |
μs μs |
|||||
디지털 출력 하강 시간 |
모드 5 – 10nF, R엘 = 10kΩ 모드 7 – 10nF, R엘 = 10kΩ |
1.8 1.9 |
μs μs |