BTS282Z E3230 TO220-7 엔-채널 MOSFET 49V 80A 트랜지스터 페트스
범주:
이산 반도체
가격:
Negotiated
결제 방법:
전신환, 웨스턴 유니온
상술
기술:
엔-채널 MOSFET 49V 80A
가족:
이산 반도체 제품
범주:
전자 부품-MOSFET(금속 산화물)
시리즈:
파워 모스펫
기저부 수:
BTS282Z
세부 사항:
트랜스 MOSFET N-CH 49V 80A 자동차 7-Pin(7+Tab) TO-220
타입:
트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
패키지:
TO220-7
증가하는 타입:
관통 홀
하이 라이트:
49V 80A 트랜지스터 페트스
,엔-채널 MOSFET 트랜지스터 페트스
도입
BTS282Z E3230 TO220-7 엔-채널 MOSFET 49V 80A 트랜지스터 페트스
인피니언 테크놀러지로부터의 BTS282ZE3230AKSA2 파워 모스펫. 그것의 최대 파워 분해는 300000 mW입니다.
부품이 벌크 포장에 의해 손상되지 않는다는 것을 보증하기 위해, 이 제품은 조금 더 추가되기 위해 패키징하는 튜브에 들어옵니다
풀린 부품을 외관에 저장하는 것에 의한 보호.
이 MOSFET 트랜지스터는 -40 'Ｃ 내지 175 'Ｃ의 작동 온도 범위를 가집니다.
이 n채널 MOSFET 트랜지스터는 증가 모드에서 작동합니다.
상술 :
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범주
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분리된 반도체 제품
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트랜지스터 - 페트스, 모스페트스는 - 단타를 날립니다
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엠에프르
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인피니언 테크놀러지
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시리즈
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TEMPFET®
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패키지
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튜브
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상태 부분
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퇴역항공기
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FET은 타이핑합니다
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엔-채널
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기술
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MOSFET (금속 산화물)
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소스 전압 (프즈스)에 고갈되세요
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49 Ｖ
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경향 - 25' Ｃ에 있는 연속배수 (Id)
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80A (Tc)
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구동 전압 (Rds를에 민 Rds에 최대한으로 씁니다)
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4.5V, 10V
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Id, 브그스에 있는 (맥스) 위의 Rds
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36A, 10V에 있는 6.5mOhm
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Id에 있는 Vgs(th) (맥스)
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240uA에 있는 2V
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게이트는 브그스에 (큐그에게) (맥스)를 청구합니다
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10 Ｖ에 있는 232 nC
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브그스 (맥스)
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±20V
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Vds에 있는 입력 커패시턴스 (CIS) (맥스)
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25 Ｖ에 있는 4800 pF
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FET 특징
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온도 감지 다이오드
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전력 소모 (맥스)
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300W (Tc)
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작동 온도
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-40' Ｃ ~ 175' Ｃ (TJ)
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증가하는 타입
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관통 홀
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공급자 소자 패키지
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P-TO220-7-230
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패키지 / 건
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TO-220-7
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환경적이 & 수출 분류
| 특성 | 기술 |
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| 로에스 상태 | 순응한 ROHS3 |
| 습도 감지 수준 (MSL) | (제한 없는) 1 |
| 한계 상태 | 한계는 영향을 주지 않았습니다 |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
8541.29.0095 |
| 부품번호 | BTS282Z E3230 |
| 기저부 수 | BTS282Z |
| EU 로에스 | 예외로 순응합니다 |
| ECCN (우리) | EAR99 |
| 상태 부분 | 활동가 |
| HTS | 8541.29.00.95 |
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주식:
MOQ:
10pieces