PD85035S-E PD85035STR-E PD85035-E RF 전력 트랜지스터 MOSFETS
PD85035S-E PD85035STR-E PD85035-E RF 전력 트랜지스터 MOSFETS
PD85035-E는 공통 소스 엔-채널, 증진 방식 측면 전계 효과 RF 전력입니다
트랜지스터. 그것은 고이득, 광대역 상업적이고 산업 적용을 위해 설계됩니다.
그것은 최고 1까지 기가헤르츠의 주파수로 공통 소스 방식으로 13.6 V에 작동합니다.
PD85035-E는 우수한 획득, 선형성을 자랑하고 ST의 최근 LDMOS 기술의 신뢰성이 첫번째 진실 내에 설치되었습니다
SMD 플라스틱 RF 전력 패키지, PowerSO-10RF.
PD85035-E의 뛰어난 선형성 성능은 자동차 이동 무선을 위한 이상 해결책로 만듭니다.
높은 신뢰도를 제공하도록 설계된 PowerSO-10 플라스틱 패키지가 첫번째 ST JEDEC입니다
승인받아 고전력 SMD는 패키징합니다. RF가 필요하고, 제공하는 것이 특별히을 위해 낙관했습니다
우수한 RF 성능과 집회의 용이성.
RF Mosfet 13.6 V 150 마 870MHz 16dB 15W PowerSO-10RF (스트레이트 리드) / (형성된 리드)
범주 | 전자 부품 |
RF 전력 트랜지스터 | |
엠에프르 | 거리 |
시리즈 | MOSFET |
제품 상태 | 활동가 |
타입 | 라이드모스트 플라스틱 가족 |
증가하는 타입 | 표면 부착 |
패키지 / 건 | PowerSO-10RF |
공급자 소자 패키지 | PowerSO-10RF (스트레이트 리드) (형성된 리드) |
베이스 상품 다수 | PD85035 |
환경적이 & 수출 분류
특성 | 기술 |
---|---|
로에스 상태 | 순응한 로에스 |
습도 감지 수준 (MSL) | (제한 없는) 1 |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8543.70.9860 |
가장 인기있는 전력 전계 효과 트렌지스터 :PD85035
IPD90P04P4L04ATMA1 | SI7431DP-T1-GE3 | NTF2955T1G |
IPD90P04P4L04ATMA2 | FDN5618P | BSP318SH6327XTSA1 |
SUM110P08-11L-E3 | SI7431DP-T1-GE3 | NDT3055L |
BSS123 | IRFP4137PBF | IPD50P04P4L11ATMA2 |
IPB017N10N5LFATMA1 | IPD90P04P405ATMA1 | SI7431DP-T1-E3 |
2N7002BKW,115 | BSC014N06NSATMA1 | SI7431DP-T1-E3 |
BSS123 | NTD20P06LT4G | IRLML9301TRPBF |
NDT2955 | IRLML2502TRPBF | IRF4905STRLPBF |
IRLML6402TRPBF | BSP315PH6327XTSA1 | SPP08N80C3XKSA1 |
IPD50P04P4L11ATMA1 | IRLML6401TRPBF | BSP135H6327XTSA1 |