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M29DW323 M29DW323DT70N6 마이크론 플래시 NOR 메모리 IC IC TSOP48 전자 부품

범주:
집적 회로 IC
가격:
Negotiated
결제 방법:
전신환, 웨스턴 유니온
상술
기술:
IC 플래시 32MBIT 병렬 48TSOP-M29DW323DT70N6E
범주:
전자적 컴포넌트스-인테그라테드 회로(IC)
시리즈:
FLASH NOR 메모리 집적 회로 IC
세부 사항:
NOR 메모리 IC 32Mb(4M x 8, 2M x 16) 병렬 70ns 48-TSOP 플래시 IC
증가하는 타입:
표면 장착
패키지:
TSOP48
기저부 수:
M29DW
주파수:
스위칭 200kHz ~ 2.2MHz
동작 대기 온도 범위:
-40' C ~ 85' C (TA)
추가:
메모리용 IC 감자 칩을 탑재하는 서피스
타입:
메모리 인터페이스 병렬
대체:
S29JL032J70TFI010 / S29JL032J70TFI310
도입

M29DW323DT70N6E 마이크론 M29DW323 플래시 NOR 메모리 IC IC TSOP48 전자 부품

-M29DW323DT M29DW323DB 32 메가비트 (4Mb x8 또는 2Mb x16, 듀얼 은행 8시 24분이 블록을 부팅시킵니다) 3V 공급 플래쉬 메모리

M29DW323D는 읽히고, 없어지고 재프로그램될 수 있는 32개 메가비트 (4Mb x8 또는 2Mb x16) 비휘활성 메모리입니다. 이러한 수술은 한 개의 저전압 (2.7 내지 3.6V) 공급을 사용하여 수행될 수 있습니다. 전원공급에 메모리는 그것의 읽기 모드에 이행하지 않습니다. 장치는 비대칭적 블록 구조를 특징으로 합니다. 8 매개 변수와 63 주요 블록의 배열을 가지고 있고, 듀얼 뱅크 업무를 제공하면서, M29DW323D는 2개 은행,와 비로 분할됩니다. 한 은행에서 프로그래밍하거나 쉽게 지워지는 동안, 읽기 작업은 뱅크 B에 가능하고 또한 역으로도 가능하다. 동시에 단지 한 은행은 프로그램에 있거나 방식을 없앨 수 있습니다.

M29DW323D는 전용 코멘드를 사용하여 접근될 수 있는 여분 32 크워드 (x16 방식) 또는 64개 키로바이트 (x8 방식) 블록, 확장블록을 가지고 있습니다. 확장블록은 보호받을 수 있고 그래서 보안 정보를 저장하기에 유용합니다.

그러나 보호는 돌이킬 수 없고 한때 보호캔을 보호했고 원상태로 돌려지지 않습니다

. 각각 블록이 독립적으로 없어질 수 있어서 기존 데이터가 없어지는 동안 유효 데이터를 보존하는 것은 가능합니다.

블록은 메모리를 변경하는 것으로부터 우연적 프로그램을 방지하거나 명령을 없애기 위해 보호받을 수 있습니다.

프로그램과 소거 커맨드는 메모리의 명령 인터페이스에 작성됩니다.

온 칩 프로그램 /는 제어기를 없애고 기억 내용을 업데이트하도록 요구되는 모든 특수 작전을 돌보는 것에 의해 메모리를 프로그램을 짜거나 없애는 과정을 단순화합니다.

프로그램 또는 소거 동작의 말은 발견될 수 있고 어떠한 오류 상태도 동일시했습니다.

명령은 메모리가 제덱 스탠다드와 일치하는지를 컨트롤하도록 요구되는 것으로 졌습니다.

칩 가능, 실행 출력과 라이트 인에이블 신호는 메모리의 버스 조작을 제어합니다.

그들은 종종 추가적 논리 없이, 대부분의 마이크로프로세서로의 단순 접속을 허용합니다.

메모리는 TSOP48 (12x20mm)와 TFBGA48 (6x8mm, 0.8 밀리미터 피치) 패키지로 제공됩니다.

특징 개요 :

공급 전압
- 프로그램을 위한 3.6V에 대한 VCC = 2.7V가 쉽게 지워지고, 읽습니다
- 고속 프로그램을 위한 VPP =12V (선택적)


엑세스 시간 : 70 나노 초


프로그래밍 시간
- 전형적인 바이트 / 워드 당 10us
- 두배 Word/ 4배 바이트 프로그램


메모리 블록
- 듀얼 뱅크 메모리 배열 : 8Mbit+24Mbit
- 매개 변수 블록 (상부 또는 최저 위치)


이중화 운용
- 한 은행에서 읽히고는 동안 프로그램을 짭니다 또는 없애고 안에 다른 것


일시 중단과 재시작 모드를 없애세요
- 삭제 중지 동안 또 다른 블록의 읽었고 프로그램을 짭니다


잠금 해제 우회 프로그램 커맨드
- 빠른 생산 / 뱃치 프로그래밍


고속 프로그램과 기입을 위한 VPP / WP 핀은 보호합니다


일시적 블록 비보호 방식


64개 비트 보안 코드


확장된 메모리 블록
- 보안 블록으로서 또는 상점 부가 정보에 사용된 여분 블록


대기중이고 자동 대기


100,000이지 프로그램 /는 블록마다 사이클을 없앱니다


전자 서명
- 제조사 코드 : 0020h
- 최고 장치 코드 M29DW323DT : 225Eh
- 하단 장치 코드 M29DW323DB :225Fh

IC 플래시 32MBIT 대비 48TSOP-M29DW323DT70N6E 상술 :

카테토리 전자 부품
하위범주
집적 회로 (ICs)
시리즈
메모리
엠에프르
마이크론 테크놀러지.
패키지
트레이
상태 부분
퇴역항공기
기억 영역형
비휘발성입니다
메모리 포맷
플래시
기술
플래시 -도 또한
메모리 용량
32Mb (4M x 8, 2M x 16)
기억기접합
대비
페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다
70 나노 초
엑세스 시간
70 나노 초
전압 - 공급
2.7V ~ 3.6V
작동 온도
-40' C ~ 85' C (TA)
증가하는 타입
표면 부착
패키지 / 건
48 TFSOP (0.724 ", 18.40 밀리미터 폭)
공급자 소자 패키지
48-TSOP
베이스 상품 다수
M29DW323

관련된 상품 번호 :

엠에프르 부분 # 기술 메모리 용량 소자 패키지
M29DW323DB70N6F TR 플래시 -도 또한 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 48-TSOP
M29DW323DT70N6F TR 플래시 -도 또한 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 48-TSOP
M29DW323DB5AN6F TR 플래시 -도 또한 256Mb (16M x 16) 48-TSOP
M29DW323DB70N3E 플래시 -도 또한 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 48-TSOP
M29DW323DB70N6E 플래시 -도 또한 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 48-TSOP
M29DW323DB70ZE6E 플래시 -도 또한 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 48-tfbga (6x8)
M29DW323DB70ZE6F TR 플래시 -도 또한 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 48-tfbga (6x8)
M29DW323DB7AN6F TR 플래시 -도 또한 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 48-TSOP
M29DW323DT70ZE6F TR 플래시 -도 또한 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 48-tfbga (6x8)
M29DW323DT70ZE6E 플래시 -도 또한 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 48-tfbga (6x8)
M29DW323DT70N6E 플래시 -도 또한 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 48-TSOP
M29DW323DB70N6E 플래시 -도 또한 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 48-TSOP
M29DW323DB70N6 플래시 -도 또한 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 48-TSOP

정보를 주문하는 것 :


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마이크론 테크놀러지에 대해

마이크론은 인공지능, 사물인터넷, 자동 운전 차량, 개인화 의학 균일한 우주 탐사와 같은 오늘의 최대 유효와 파괴적 기술 혁신을 운전하기 위해 돕고 있는 혁신적 기억과 스토리지 해결책을 만듭니다. 자료를 수집하고 저장하고 관리하기 위한 효율적 방법을 빨리 그리고 더 개척함으로써, 그들은 세계가 통신하고, 배우고 전진하는 방법을 대변혁을 일으키고 향상시키기 위해 돕고 있습니다.

마이크론 테크놀러지 상품 카테고리 :

집적 회로 (ICs)

메모리 카드, 모듈

광 전자 공학

참조를 위한 이미지 :

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환경적이 & 수출 분류

특성 기술
로에스 상태 순응한 ROHS3
습도 감지 수준 (MSL) 3 (168 시간)
한계 상태 한계는 영향을 주지 않았습니다
ECCN 3A991B1A
HTSUS 8542.32.0071


대체 집적 회로 IC 부품번호 :
S29JL032J70TFI010 / S29JL032J70TFI310
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M29DW323 M29DW323DT70N6 마이크론 플래시 NOR 메모리 IC IC TSOP48 전자 부품

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