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60V 10.8A 다이오드 트랜지스터 FETS DMT6009LSS-13 단일 MOSFET N 채널

범주:
다이오드 트랜지스터
가격:
Negotiated
결제 방법:
전신환, 웨스턴 유니온
상술
기술:
N-채널 60V 10.8A(Ta) 1.25W(Ta) 표면 실장 8-SO
범주:
전자부품-이산반도체
타입:
MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 12mOhm 4.5Vgs
가족:
다이오드 트랜지스터
장착:
표면 장착
애플리케이션:
스위칭 모드 전원 공급 장치 어댑터 조명 변환기
패키지:
SOP8
시리즈:
MOSFET N-CH 60V 10.8A 8SO T&R 2
상품 이름:
DMT6009LSS-13 단일 MOSFET N 채널 60V 10.8A 트랜지스터 다이오드
하이 라이트:

60V 10.8A 다이오드 트랜지스터

,

DMT6009LSS-13

,

트랜지스터 FETS DMT6009LSS-13

도입

DMT6009LSS-13 한 개의 MOSFET n채널 60V 10.8A 트랜지스터

FETS MOSFET N-CH 60V 10.8A 8SO T&R 2 이산 반도체

DMT6009LSS-13 상술 :

부품번호 DMT6009LSS-13
범주
분리된 반도체 제품
 
트랜지스터 - 페트스, 모스페트스는 - 단타를 날립니다
엠에프르
다이오드는 결합했습니다
시리즈
-
패키지
테이프 & 릴 (TR)
상태 부분
활동가
FET은 타이핑합니다
엔-채널
기술
MOSFET (금속 산화물)
소스 전압 (프즈스)에 고갈되세요
60 V
경향 - 25' C에 있는 연속배수 (Id)
10.8A (Ta)
구동 전압 (Rds를에 민 Rds에 최대한으로 씁니다)
4.5V, 10V
Id, 브그스에 있는 (맥스) 위의 Rds
13.5A, 10V에 있는 9.5mOhm
Id에 있는 Vgs(th) (맥스)
250uA에 있는 2V
게이트는 브그스에 (큐그에게) (맥스)를 청구합니다
10 V에 있는 33.5 nC
브그스 (맥스)
±20V
Vds에 있는 입력 커패시턴스 (CIS) (맥스)
30 V에 있는 1925 pF
FET 특징
-
전력 소모 (맥스)
1.25W (Ta)
작동 온도
-55' C ~ 150' C (TJ)
증가하는 타입
표면 부착
공급자 소자 패키지
8-SO
패키지 / 건
8 SOIC (0.154 ", 3.90 밀리미터 폭)
베이스 상품 다수
DMT6009

관련 상품 :

DMT6009LSS-13 특징
* 글라스 패시베이트된 칩
* 내장된 균주 구호
* 저인덕턴스
* 최고 지점 역전력 손실
* 낮은 역누출
* 휴먼 바디 모델 당 등급 3 (> 20 kV)의 ESD 평가

60V 10.8A 다이오드 트랜지스터 FETS DMT6009LSS-13 단일 MOSFET N 채널

60V 10.8A 다이오드 트랜지스터 FETS DMT6009LSS-13 단일 MOSFET N 채널

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60V 10.8A 다이오드 트랜지스터 FETS DMT6009LSS-13 단일 MOSFET N 채널

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