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SIT1602 54MHZ MEMS 수정 발진기 SIT1602AI-82-33E-54.000000Y

범주:
수정 발진기
가격:
Negotiated
결제 방법:
전신환, 웨스턴 유니온
상술
프로덕션명:
54MHz XO(표준) LVCMOS 발진기 3.3V 활성화/비활성화 4-SMD, 리드 없음
시리즈:
저전력, 표준 주파수 발진기
범주:
수정, 발진기, 공진기 수정
타입:
SiT1602
공칭 주파수:
54mHz
주파수 안정성:
±25ppm
부하 용량:
12.5PF
증가하는 타입:
표면 장착
패키지:
4P 7050
하이 라이트:

54MHZ MEMS 수정 발진기

,

SIT1602 MEMS 수정 발진기

,

SIT1602AI-82-33E-54.000000Y

도입

SITIME MEMS 발진기 SIT1602 4P 7050 54MHZ 3.3V ±25PPM LVCOMS 출력 SIT1602AI-82-33E-54.000000Y
 
STI1602 저전력, 표준 주파수 발진기
응용 프로그램:
DSC, DVC, DVR, IP CAM, 태블릿, 전자 책, SSD, GPON, EPON 등에 이상적
USB, SATA, SAS,
Firewire, 100M / 1G / 10G 이더넷 등
 
특징:
3.57MHz ~ 77.76MHz 사이의 52개 표준 주파수 
석영 기반 XO에 대한 100% 핀 대 핀 드롭인 교체
±20ppm의 낮은 총 주파수 안정성 
-40°C ~ 85°C의 작동 온도.125°C 및/또는 -55°C의 경우
옵션, SiT1618, SiT8918, SiT8920 참조
1.8V에서 일반적으로 3.5mA의 낮은 전력 소비
더 긴 배터리 수명을 위한 대기 모드
5ms의 빠른 시작 시간
LVCMOS/HCMOS 호환 출력
산업 표준 패키지: 2.0 x 1.6, 2.5 x 2.0, 3.2 x 2.5,
5.0 x 3.2, 7.0 x 5.0mm x mm
RoHS 및 REACH 준수, 무연, 무할로겐 및 무안티몬
 
명세서:

범주
수정, 발진기, 공진기
 
오실레이터
Mfr
사이타임
시리즈
SiT1602
패키지
조각
부품 상태
활동적인
베이스 공진기
MEMS
유형
XO(표준)
빈도
54MHz
기능
켜기 끄기
산출
LVCMOS
전압 - 공급
3.3V
주파수 안정성
±25ppm
절대 당기기 범위(APR)
-
작동 온도
-40°C ~ 85°C
스펙트럼 대역폭 확산
-
전류 - 공급(최대)
4.5mA
평가
-
장착 유형
표면 실장
패키지/케이스
4-SMD, 납 없음
크기/치수
0.276" 길이 x 0.197" 너비(7.00mm x 5.00mm)
높이 - 착석(최대)
0.039"(1.00mm)

 
관련 제품 번호:

제조 부품 번호설명패키지
SIT9386AE-4B3-33N156.250000E-40~105C, 3225, 50PPM, 3.3V,6-SMD, 납 없음
SIT2044BM-S1-33EA50.000000XMEMS OSC XO 50KHZ LVCMOSSC-74A, SOT-753
SIT2044BM-S1-33EA50.000000GMEMS OSC XO 50KHZ LVCMOSSC-74A, SOT-753
SIT8021AC-J4-18S-4.032000MEMS OSC 4.03200MHZ SMD4-UFBGA, CSPBGA
SiT8021AC-J4-18S-15.000000MEMS OSC 15.00000MHZ SMD4-UFBGA, CSPBGA
SIT8021AC-J4-XXS-16.000000MEMS OSC 16.0000MHZ SMD4-UFBGA, CSPBGA
SIT1602BIU32-33N-19.200000MEMS OSC XO 19.2000MHZ H/LV-CMOS4-SMD, 납 없음
SIT8008BIU32-33N-19.200000MEMS OSC XO 19.2000MHZ H/LV-CMOS4-SMD, 납 없음
SiT8008BC-31-18E-15.000000MEMS OSC XO 15.000000MHZ H/LV-CM4-SMD, 납 없음
SIT8008BI-31-18E-100.000000MEMS OSC XO 100.0000MHZ H/LVCMOS4-SMD, 납 없음
SIT8008BIA73-33E-39.321600MEMS OSC XO 39.3216MHZ H/LV-CMOS4-SMD, 납 없음
SIT8008BI-71-YYE-12.000000MEMS OSC XO 12.0000MHZ H/LV-CMOS4-SMD, 납 없음
SIT8008BIL71-33S-16.000000MEMS OSC XO 16.0000MHZ H/LV-CMOS4-SMD, 납 없음
SIT8008BI-71-33E-3.571200MEMS OSC XO 3.5712MHZ H/LV-CMOS4-SMD, 납 없음
SIT2001BCLS2-33S-8.000000MEMS OSC XO 8.0000MHZ H/LV-CMOSSC-74A, SOT-753
SIT8008BI-13-YYS-25.600000OSC MEMS XO 25.6000MHZ SMD4-SMD, 납 없음
SIT1602BIR13-33E-25.000000MEMS OSC XO 25.0000MHZ4-SMD, 납 없음
SIT8924BI-13-18E-25.000000MEMS OSC XO 25.0000MHZ LVCMOS LV4-SMD, 납 없음
SIT8924BI-23-33S-16.000000MEMS OSC XO 16.0000MHZ LVCMOS4-SMD, 납 없음
SIT8918BEF12-33S-8.000000MEMS OSC XO 8.0000MHZ LVCMOS LV4-SMD, 납 없음
SIT3808AI-22-33NZ-50.000000MEMS OSC VCXO 50.0000MHZ LVCMOS6-SMD, 납 없음
SIT8918BE-81-33E-33.177600MEMS OSC XO 33.177600MHZ LVCMOS4-SMD, 납 없음
SIT8918BE-13-XXN-24.000000MEMS OSC XO 24.0000MHZ LVCMOS LV4-SMD, 납 없음
SIT8918BE-13-XXN-8.000000MEMS OSC XO 8.0000MHZ LVCMOS LV4-SMD, 납 없음
SIT8008BI-82-33E-40.550400MEMS OSC XO 40.5504MHZ H/LV-CMOS4-SMD, 납 없음
SIT8008BI-21-33N-33.330000MEMS OSC XO 33.3300MHZ H/LV-CMOS4-SMD, 납 없음
SIT9003AI-33-25DO-33.33300MEMS OSC XO 33.3330MHZ LVCMOS LV4-SMD, 납 없음
SIT8008BI-21-18E-60.000000MEMS OSC XO 60.0000MHZ H/LV-CMOS4-SMD, 납 없음

 
SIT1602 54MHZ MEMS 수정 발진기 SIT1602AI-82-33E-54.000000Y
SIT1602 54MHZ MEMS 수정 발진기 SIT1602AI-82-33E-54.000000Y
SIT1602 54MHZ MEMS 수정 발진기 SIT1602AI-82-33E-54.000000Y
SIT1602 54MHZ MEMS 수정 발진기 SIT1602AI-82-33E-54.000000Y
SIT1602 54MHZ MEMS 수정 발진기 SIT1602AI-82-33E-54.000000Y
SIT1602 54MHZ MEMS 수정 발진기 SIT1602AI-82-33E-54.000000Y
SIT1602 54MHZ MEMS 수정 발진기 SIT1602AI-82-33E-54.000000Y

 

 
 
 

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