ATSAMD51G18A-MU 마이크로칩 IC MCU 32BIT 256KB 플래시 48VQFN 집적 회로
ATSAMD51G18A-MU 마이크로칩 IC
,48VQFN 통합 회로
,MCU IC 32BIT 256KB 플래시
ATSAMD51G18A-MU 마이크로칩 IC MCU 32BIT 256KB 플래시 48VQFN 집적 회로
팔 마이크로컨트롤러 - MCU 120MHZ 256KB는 4시 8분 QFN을 번쩍입니다
IC MCU 32BIT 256KB 플래시 48QFN
ARM® Cortex®-M4F 시리즈 마이크로컨트롤러 IC 32-비트 단일코어 120MHz 256KB (256K x 8) 플래시 48 QFN (7x7)
ATSAMD51G18A-MU 상술 :
범주
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집적 회로 (ICs)
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내장되 - 마이크로컨트롤러
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엠에프르
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마이크로칩 테크놀로지
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시리즈
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샘 D51
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패키지
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트레이
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제품 상태
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활동가
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핵심 프로세서
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ARM® Cortex®-M4F
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핵심 사이즈
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32-비트 단일코어
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속도
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120MHz
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연결성
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EBI / EMI, I2C, 적외선 통신 협회, 린뷔스, MMC / SD, QSPI, SPI, UART / 범용 동기/비동기 송수신 회로, USB
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주변 기기
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절전은 / 리셋, DMA, I2S, 포르, PWM을 발견합니다
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입출력의 수
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37
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프로그램 메모리 규모
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256KB (256K x 8)
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프로그램 메모리 종류
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플래시
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EEPROM 사이즈
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-
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RAM 사이즈
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128K X 8
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전압 - 공급 (Vcc/Vdd)
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1.71V ~ 3.63V
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데이터 변환기
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자동 예금기 20x12b ; 인수 인도 2x12b
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오실레이터형
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내부의
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작동 온도
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-40' C ~ 85' C (TA)
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증가하는 타입
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표면 부착
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패키지 / 건
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48-VFQFN 노출된 패드
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공급자 소자 패키지
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48-qfn (7x7)
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베이스 상품 다수
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ATSAMD51
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특징 :
운영 상태 :
3.63V, -40' C에서 +125' C, DC에서 100 마하즈에 대한 오우 1.71V
3.63V, -40' C에서 +105' C, DC에서 120 마하즈에 대한 오우 1.71V
3.63V, -40' C에서 +85' C, DC에서 120 마하즈에 대한 오우 1.71V
핵심 : 120 마하즈 팔 Cortex-M4
120 마하즈에 있는 오우 403 CoreMark®
오우 4 KB는 명령 캐시와 데이터 캐시를 결합시켰습니다
오우 8-구역 메모리 보호 단위 (마이크로프로세서 유닛)
명령어 세트 오우 Thumb®-2
교육 트레이스 스트림과 오우 내장된 트레이스 모듈 (ETM)
오우 핵심 사이트는 트레이스 버퍼 (전송 블록 종료 문자)을 끼워 넣었습니다
오우 트레이스 포트 인터페이스 유니트 (TPIU)
오우 부동 소수점 장치 (FPU)
메모리
다음과 오우 1 MB/512 KB/256 KB 내부 시스템 자체 프로그램 가능 플래시 :
- 에러 정정 코드 (ECC)
- 쓰면서 읽기 (RWW) 지원과 듀얼 뱅크
- EEPROM 하드웨어 에뮬레이션 (SmartEEPROM)
오우 128 KB, 192 KB, 256 KB SRAM 주 기억장치
- 에러 정정 코드 (ECC) RAM 선택의 64 KB, 96 KB, 128 KB
밀착 결합 메모리 (TCM)의 오우 최고 4까지 KB
오우 최고 8까지 KB 추가적 SRAM
- 깡통은 백업 모드로 보유됩니다
오우 8시 32분 비트 백업 레지스터
시스템
오우 파워온 리세트 (피오알)과 절전 탐지 (BOD)
오우 내부의와 외부 시계 선택
오우 외부 인터럽트 제어기 (EIC)
오우 16 외부는 중단합니다
오우 한 마스크 불가능 인터럽트
오우 2핀 일련 와이어는 (SWD) 프로그래밍과 테스트와 결함분리수정 인터페이스의 결함을 제거합니다
전원 공급기
오우는 공전하고 대기중이어 동면합니다 예방이어고 슬립 모드에서 떨어져
오우 몽유병 주변 기기
오우 배터리 백업 지지체
접촉식 선택을 지원하는 오우 내장된 달러 / LDO 규제 기관
환경적이 & 수출 분류
특성 | 기술 |
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로에스 상태 | 순응한 ROHS3 |
습도 감지 수준 (MSL) | 3 (168 시간) |
한계 상태 | 한계는 영향을 주지 않았습니다 |
ECCN | 3A991B1A |
HTSUS | 8542.32.0071 |