M15T1G1664A-DEBG2C M15F1G1664A (2S) M15T2G8256A(2R) M15T2G16128A(2R) M15T2G16128A(2P)
제조 업체:
텍사스 인스트루먼트
기술:
DDR3(L) SDRAM 512Mb 1Gb 2Gb 4Gb 8Gb 1.35V/ 1.5V DDRIII SDRAM IC M15T1G1664A-DEBG2C
범주:
마이크로컨트롤러 IC
입하됩니다:
재고 있음
가격:
US$5.80
결제 방법:
티/티
배송 방법:
표현하다
상술
제품명:
DDR3(L) SDRAM 512Mb 1Gb 2Gb 4Gb 8Gb 1.35V/ 1.5V DDRIII SDRAM IC M15T1G1664A-DEBG2C
범주:
집적 회로(IC)-M15T1G1664A
패키지 / 케이스:
BGA
작동 온도:
-40 ° C ~ 85 ° C (TA)
장착 유형:
표면 실장
Mfr:
ESMT
기본 제품 번호:
M15T1G1664A
부품 번호:
M15T1G1664A-DEBG2C M15F1G1664A (2S) M15T2G8256A(2R) M15T2G16128A(2R) M15T2G16128A(2P)
도입
DDR3(L) SDRAM 512Mb 1Gb 2Gb 4Gb 8Gb 1.35V/ 1.5V DDRIII SDRAM IC M15T1G1664A-DEBG2C
64Mbx16 DDRIII SDRAM 1.35V/ 1.5V 933/1066MHz 96BGA
DDR3 SDRAM 부품 번호:
| 512MB | |||||
| 부문 번호 | 조직 | 설명 | 리프레시 | 속도 (mHz) | 패키지 |
| M15T5121632A | 32Mbx16 | DDRIII SDRAM 1.35V/ 1.5V | - | 800/933MHz | 96 볼 BGA |
| 1GB | |||||
| 부문 번호 | 조직 | 설명 | 리프레시 | 속도 (mHz) | 패키지 |
| M15T1G1664A (2S) | 64Mbx16 | DDRIII SDRAM 1.35V/ 1.5V | - | 933/1066MHz | 96 BAll BGA |
| M15T1G8128A ((2S) | 128Mbx8 | DDRIII SDRAM 1.35V/ 1.5V | - | 933/1066MHz | 78 볼 BGA |
| M15T1G1664A (2T) | 64Mbx16 | DDRIII SDRAM 1.35V/ 1.5V | - | 933/1066MHz | 96 BAll BGA |
| M15T1G1664A (2Z) | 64Mbx16 | DDRIII SDRAM 1.35V/ 1.5V | - | 933/1066MHz | 96 BAll BGA |
| M15F1G1664A (2S) | 64Mbx16 | DDRIII SDRAM 1.5V | - | 933/1066/1200MHz | 96 BAll BGA |
| 2Gb | |||||
| 부문 번호 | 조직 | 설명 | 리프레시 | 속도 (mHz) | 패키지 |
| M15T2G8256A ((2R) | 256Mbx8 | DDRIII SDRAM 1.35V/ 1.5V | - | 800/933/1066MHz | 78 볼 BGA |
| M15T2G16128A ((2R) | 128Mbx16 | DDRIII SDRAM 1.35V/ 1.5V | - | 800/933MHz | 96 볼 BGA |
| M15T2G16128A ((2P) | 128Mbx16 | DDRIII SDRAM 1.35V/ 1.5V | - | 800/933/1066MHz | 96 볼 BGA |
| M15T2G16128A (2D) | 128Mbx16 | DDRIII SDRAM 1.35V/ 1.5V | - | 933/1066MHz | 96 볼 BGA |
| M15T2G8256A (2D) | 256Mbx8 | DDRIII SDRAM 1.35V/ 1.5V | - | 933/1066MHz | 78 볼 BGA |
| 4Gb | |||||
| 부문 번호 | 조직 | 설명 | 리프레시 | 속도 (mHz) | 패키지 |
| M15T4G16256A (2S) | 256Mbx16 | DDRIII SDRAM 1.35V/ 1.5V | - | 800/933/1066MHz | 96 볼 BGA |
| M15T4G16256A ((2C) | 256Mbx16 | DDRIII SDRAM 1.35V/ 1.5V | - | 800/933/1066MHz | 96 볼 BGA |
| M15T4G16256A (2P) | 256Mbx16 | DDRIII SDRAM 1.35V/ 1.5V | - | 933/1066MHz | 96 볼 BGA |
| M15T4G8512A ((2S) | 512Mbx8 | DDRIII SDRAM 1.35V/ 1.5V | - | 800/933/1066MHz | 78 볼 BGA |
| M15T4G8512A ((2C) | 512Mbx8 | DDRIII SDRAM 1.35V/ 1.5V | - | 800/933/1066MHz | 78 볼 BGA |
| 8Gb | |||||
| 부문 번호 | 조직 | 설명 | 리프레시 | 속도 (mHz) | 패키지 |
| M15T8G16512A ((2S) | 512Mbx16 | DDRIII SDRAM 1.35V/1.5V | - | 800/933/1066MHz | 96 볼 BGA |
적용:
자동차
네트워크 구축
소비자
셋톱 박스
산업
표시
IOT
보안 감시
웨어러블 장치
PC 주변 장치
엘리트 반도체 마이크로 전자 기술 Inc. (ESMT) 는 1998년 6월에 타이완의 Hsinchu 과학 산업 공원에서 설립된 전문 IC 설계 회사이다.회사의 주요 사업은 자체 브랜드 IC 제품 디자인, 제조, 판매 및 기술 서비스. ESMT는 2002년 3월 대만 증권거래소 코드 3006에 성공적으로 상장했습니다.
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| 64MB | |||||
| 부문 번호 | 조직 | 설명 | 리프레시 | 속도 (mHz) | 패키지 |
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| 128MB | |||||
| 부문 번호 | 조직 | 설명 | 리프레시 | 속도 (mHz) | 패키지 |
| M13S128168A (2S) | 8Mbx16 | DDR SDRAM 2.5V | 4K | 160/200/250MHz | 66TSOPII/ 60BGA |
| 256MB | |||||
| 부문 번호 | 조직 | 설명 | 리프레시 | 속도 (mHz) | 패키지 |
| M13S2561616A ((2T) | 16Mbx16 | DDR SDRAM 2.5V | 7.8us | 166/200/250MHz | 66TSOPII/ 60BGA |
| 512MB | |||||
| 부문 번호 | 조직 | 설명 | 리프레시 | 속도 (mHz) | 패키지 |
| M13S5121632A ((2T) | 32Mbx16 | DDR SDRAM 2.5V | 7.8us | 166/200MHz | 66 핀 TSOPII |
| DDR2 SDRAM | |||||
| 128MB | |||||
| 부문 번호 | 조직 | 설명 | 리프레시 | 속도 (mHz) | 패키지 |
| M14D128168A (2Y) | 8Mbx16 | DDRII SDRAM, 1.8V | 4K | 400/533/600/667MHz | 84 볼 FBGA |
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