FM6BD1G1GMB-1.8BLCE 1G+1G(NAND 플래시 + LPDDR2) FM6BD1G1GMB(2M) FM62D1G1GMB(2G) FM6BD1G1GMB(2G)
상술
제품명:
FM6BD1G1GMB-1.8BLCE 1G+1G(NAND 플래시 + LPDDR2) FM6BD1G1GMB(2M) FM62D1G1GMB(2G) FM6BD1G1GMB(2G)
설명:
FM6BD1G1GMB 1.8V 1Gb NAND 플래시(128Mbx8) 1.8V 1Gb LPDDR2 SDRAM(32Mbx32) 45ns 400/533MHz
범주:
집적 회로(IC)-FM6BD1G1GMB
패키지/케이스:
10.5x8(mm) 162BGA
작동 온도:
-40°C ~ 85°C(타)
장착 유형:
표면 실장
제조업체:
ESMT
기본 제품 번호:
FM6BD1G1GMB
부품 번호:
FM6BD1G1GMB-1.8BLCEFM6BD1G1GMB(2M) FM62D1G1GMB(2G) FM6BD1G1GMB(2G)
도입
FM6BD1G1GMB-1.8BLCE 1G+1G(NAND 플래시 + LPDDR2) FM6BD1G1GMB(2M) FM62D1G1GMB(2G) FM6BD1G1GMB(2G)
설명 :FM6BD1G1GMB 1.8V 1Gb NAND 플래시(128Mbx8) 1.8V 1Gb LPDDR2 SDRAM(32Mbx32) 45ns 400/533MHz 10.5x8(mm) 162BGA
FM6BD1G1GMB-1.8BLCE
![]()
더 많은 MCP 플래시 메모리 IC 부품 번호:
| 1G+1G(NAND 플래시 + LPDDR2) | |||
| 부품_번호 | 설명 | 속도(MHZ) | 패키지 |
| FM6BD1G1GMB(2M) | 1.8V 1Gb NAND 플래시(128Mbx8) + 1.8V 1Gb LPDDR2 SDRAM(32Mbx32) | 45ns, 400/533MHz | 10.5x8(mm), 162볼 |
| FM62D1G1GMB(2G) | 1.8V 1Gb NAND 플래시(128Mbx8) + 1.8V 1Gb LPDDR2 SDRAM(64Mbx16) | 45ns, 400/533MHz | 10.5x8(mm), 162볼 |
| FM6BD1G1GMB(2G) | 1.8V 1Gb NAND 플래시(128Mbx8) + 1.8V 1Gb LPDDR2 SDRAM(32Mbx32) | 45ns, 400/533MHz | 10.5x8(mm), 162볼 |
| 2G+1G(낸드플래시 + LPDDR2) | |||
| 부품_번호 | 설명 | 속도(MHZ) | 패키지 |
| FM62D2G1GXA(2U) | 1.8V 2Gb NAND 플래시(256Mbx8) + 1.8V 1Gb LPDDR2 SDRAM(64Mbx16) | 30ns, 400/533MHz | 10.5x8(mm), 162볼 |
| 2G+2G(NAND 플래시 + LPDDR2) | |||
| 부품_번호 | 설명 | 속도(MHZ) | 패키지 |
| FM6BD2G2GXA(2M) | 1.8V 2Gb NAND 플래시(256Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR2 SDRAM(64Mbx32) | 30ns; 400/533MHz | 10.5x8(mm), 162볼 |
| FM6BD2G2GXA(2L) | 1.8V 2Gb NAND 플래시(256Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR2 SDRAM(64Mbx32) | 30ns; 533MHz | 10.5x8(mm), 162볼 |
| FM62D2G2GXA(2L) | 1.8V 2Gb NAND 플래시(256Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR2 SDRAM(128Mbx16) | 30ns; 533MHz | 10.5x8(mm), 162볼 |
| FM62D2G2GKA (2Q) | 1.8V 2Gb NAND 플래시(256Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR2 SDRAM(128Mbx16) | 45ns; 533MHz | 10.5x8(mm), 162볼 |
| FM6BD2G2GKA (2Q) | 1.8V 2Gb NAND 플래시(256Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR2 SDRAM(64Mbx32) | 45ns; 533MHz | 10.5x8(mm), 162볼 |
| 2G+2G(NAND 플래시 + LPDDR4x) | |||
| 부품_번호 | 설명 | 속도(MHZ) | 패키지 |
| FM6HZ2G2GXA(2A) | 1.8V 2Gb NAND 플래시(256Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR4x SDRAM(128Mbx16) | 30ns; 1866MHz | 9.5x8(mm), 149볼 |
| 4G+2G(NAND 플래시 + LPDDR2) | |||
| 부품_번호 | 설명 | 속도(MHZ) | 패키지 |
| FM6BD4G2GXB(2V) | 1.8V 4Gb NAND 플래시(512Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR2 SDRAM(64Mbx32) | 30ns; 533MHz | 10.5x8(mm), 162볼 |
| FM6BD4G2GXB(2X) | 1.8V 4Gb NAND 플래시(512Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR2 SDRAM(64Mbx32) | 30ns; 533/400MHz | 10.5x8(mm), 162볼 |
| FM62D4G2GXB(2V) | 1.8V 4Gb NAND 플래시(512Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR2 SDRAM(128Mbx16) | 30ns; 533MHz | 10.5x8(mm), 162볼 |
| FM6BD4G2GKA(2J) | 1.8V 4Gb NAND 플래시(512Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR2 SDRAM(64Mbx32) | 45ns; 533MHz | 10.5x8(mm), 162볼 |
| 4G+2G(NAND 플래시 + LPDDR4x) | |||
| 부품_번호 | 설명 | 속도(MHZ) | 패키지 |
| FM6HZ4G2GXB | 1.8V 4Gb NAND 플래시(512Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR4x SDRAM(128Mbx16) | 30ns; 1866MHz | 9.5x8(mm), 149볼 |
| 4G+4G(낸드플래시+LPDDR2) | |||
| 부품_번호 | 설명 | 속도(MHZ) | 패키지 |
| FM6BD4G4GXB(2X) | 1.8V 4Gb NAND 플래시(512Mbx8) + 1.8V 4Gb LPDDR2 SDRAM(128Mbx32) | 30ns; 400/533MHz | 10.5x8(mm), 162볼 |
| FM6BD4G4GXMB(2V) | 1.8V 4Gb NAND 플래시(512Mbx8) + 1.8V 4Gb LPDDR2 SDRAM(128Mbx32) | 30ns; 533MHz | 10.5x8(mm), 162볼 |
| FM6BD4G4GKMA(2J) | 1.8V 4Gb NAND 플래시(512Mbx8) + 1.8V 4Gb LPDDR2 SDRAM(128Mbx32) | 45ns; 533MHz | 10.5x8(mm), 162볼 |
| 4G+4G(NAND 플래시 + LPDDR4x) | |||
| 부품_번호 | 설명 | 속도(MHZ) | 패키지 |
| FM6HZ4G4GXB | 1.8V 4Gb NAND 플래시(512Mbx8) + 1.8V 4Gb LPDDR4x SDRAM(256Mbx16) | 30ns; 1866/2133MHz | 9.5x8(mm), 149볼 |
| 8G+8G(NAND 플래시 + LPDDR4x) | |||
| 부품_번호 | 설명 | 속도(MHZ) | 패키지 |
| FM6HZ8G8GXDZB(2H) | 1.8V 4Gb x2die NAND 플래시(512Mbx8) + 1.8V 4Gb x2die LPDDR4x SDRAM(256Mbx16) | 30ns; 1866/2133MHz | 9.5x8(mm), 149볼 |
| 16G+16G(NAND 플래시 + LPDDR4x) | |||
| 부품_번호 | 설명 | 속도(MHZ) | 패키지 |
| FM6HZ16G16GXA (2D) | 1.8V 8Gb x2die NAND 플래시(1024Mbx8) + 1.8V 16Gb x1die LPDDR4x SDRAM(1Gbx16) | 30ns; 2133MHz | |
애플리케이션:
자동차
네트워킹
소비자
셋톱박스
산업용
표시하다
IoT
보안 감시
웨어러블 기기
PC 주변기기
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
Elite Semiconductor Microelectronics Technology Inc.(ESMT)는 1998년 6월 대만 신주 과학 산업 단지에서 설립된 전문 IC 설계 회사입니다. 회사의 주요 사업에는 자체 브랜드 IC 제품 설계, 제조, 판매 및 기술 서비스가 포함됩니다. ESMT는 2002년 3월 대만 증권 거래소(코드 3006)에 성공적으로 상장되었습니다.
![]()
![]()
ESMT SPI NAND 플래시 제품 추가 재고:
| SPI 낸드 | |||
| 1GB | |||
| 부품 번호 | 설명 | 속도(MHz) | 패키지 |
| F50L1G41LB(2M) | SPI 낸드 플래시, 3.3V | 104MHz | 8접점 WSON |
| F50D1G41LB(2M) | SPI 낸드 플래시, 1.8V | 50MHz | 8접점 WSON |
| F50L1G41XA(2B) | SPI 낸드 플래시, 3.3V | 104MHz | 8접점 WSON/24볼 BGA |
| 2GB | |||
| 부품 번호 | 설명 | 속도(MHz) | 패키지 |
| F50L2G41XA(2B) | SPI 낸드 플래시, 3.3V | 104MHz | 8접점 WSON |
| F50L2G41XA (2BE) | SPI 낸드 플래시, 3.3V | 104MHz | 8접점 LGA |
| F50D2G41XA(2BE) | SPI 낸드 플래시, 1.8V | 83MHz | 8접점 LGA |
| F50D2G41XA(2B) | SPI 낸드 플래시, 1.8V | 83/104MHz | 8접점 WSON |
| 4GB | |||
| 부품 번호 | 설명 | 속도(MHz) | 패키지 |
| F50D4G41XB(2X) | SPI 낸드 플래시 1.8V | 83MHz | 8접점 LGA |
| F50L4G41XB(2X) | SPI 낸드 플래시, 3.3V | 104MHz | 8접점 WSON |
| F50D4G41XB(2XE) | SPI 낸드 플래시 1.8V | 83MHz | 8접점 LGA |
관련 상품
F59L1G81LB SLC NAND 또는 SLC NAND 플래시 메모리 IC F59L1G81LB-25TG2M
F59L1G81LB (2M) SLC NAND Flash x8 3.3V ECC:1bit/528Byte 25ns 48TSOPI/ 63BGA/ 67BGA
EN25QX256A SPI 또는 플래시 IC EN25QX256A-104HIP2S
256Mb 2.7V - 3.6V 104MHz/133MHz SPI NOR Flash Memory IC
EN29LV800D(2A) EN29LV160D(2W) EN29LV320C (2Y) EN29LV320CB-70BIP
Parallel NOR 32Mb Flash Memory Boot Sector IC EN29LV320CB-70BIP
M55D1G3232A(2Y) M55D1G1664A(2Y) 4Gb M55D4G16256A(2R) M55D4G32128A(2R) 2Gb M56Z2G16128A(2R) 4Gb M56Z4G16256A(2H) M56Z4G32128A (2R) 8Gb M56Z8G32256A M56Z8G32256A(2H)
LPDDR3 SDRAM LPDDR4x SDRAM M55D4G32128A-GFB
M52D64322AK1AG M52D5123216A M52D5121632A M52D2561616A(2F) M52D256328A(2F) LPSDR SDRAM IC
M52D64322A 2Mbx32 1.8V 4K 166MHz 54FBGA LPSDR SDRAM IC
M53D64164A (2C) M13D64322A (2S) M53D2561616A (2F) M53D256328A (2F) M53D5121632A M53D5123216A M53D1G1664A M53D1G3232A
M53D5123216A 16Mbx32 1.8V 8K 200MHz 144FBGA LPDDR SDRAM IC M53D5123216A-5B
M16U4G16256A-KJBG2Z M16U4G16256A-QLBG2Z
4Gb 256Mbx16 1.2V 1333/1600MHz DDR4 SDRAM M16U4G16256A M16U4G8512A 96BGA IC
128MB DRAM DDR SDRAM M13S128168A-5TG M13S128168A-6T M13S128168A-4T
M13S128168A (2S) 8Mbx16 2.5V 4K 160/200/250MHz 66TSOPII/ 60BGA DDR SDRAM IC
M13S64164A-5TG M13S64164A-5T 64MB DRAM DDR SDRAM IC
M13S64164A(2C) 64Mb 4Mbx16 DDR SDRAM 2.5V 4K 166/200/250MHz 66TSOPII IC
M12L5121632A-6TG2T 166MHz TSOP M12L5121632A-7TG2T 143MHz TSOP 54 M12L5121632A-5BG2T 200MHz BGA M12L5121632A-6BG2T 166MHz BGA M12L5121632A-7BG2T 143MHz BGA
M12L5121632A 32Mbx16 SDRAM 3.3V 8K 143/166/200MHz 54pin TSOPII/54FBGA IC M12L5121632A-5TG2T
M13S64164A-5TG M13S64164A-5T M13S64164A(2C) ESMT DRAM DDR SDRAM 메모리 IC
ESMT DRAM DDR SDRAM Memory IC M13S64164A(2C) 4Mbx16 DDR SDRAM 2.5V 4K 166/200/250MHz
M12L2561616A-6TG2T M12L2561616A-6BIG2S ESMT SDRAM 3.3V 메모리 IC
M12L2561616A (2T) M12L16161A (2R) M12L16164A M12L64322A M12L128168A M12L5121632ASDRAM
가격 요구를 보내세요
주식:
In Stock
MOQ:
10pieces

