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> 상품 > 마이크로컨트롤러 IC > FM6BD1G1GMB-1.8BLCE 1G+1G(NAND 플래시 + LPDDR2) FM6BD1G1GMB(2M) FM62D1G1GMB(2G) FM6BD1G1GMB(2G)

FM6BD1G1GMB-1.8BLCE 1G+1G(NAND 플래시 + LPDDR2) FM6BD1G1GMB(2M) FM62D1G1GMB(2G) FM6BD1G1GMB(2G)

제조 업체:
ESMT(엘리트 반도체 마이크로일렉트로닉스 기술)
기술:
FM6BD1G1GMB 1.8V 1Gb NAND 플래시(128Mbx8) 1.8V 1Gb LPDDR2 SDRAM(32Mbx32) 45ns 400/533MHz 10.5x8(mm) 162
범주:
마이크로컨트롤러 IC
입하됩니다:
재고 있음
가격:
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결제 방법:
티/티
배송 방법:
표현하다
상술
제품명:
FM6BD1G1GMB-1.8BLCE 1G+1G(NAND 플래시 + LPDDR2) FM6BD1G1GMB(2M) FM62D1G1GMB(2G) FM6BD1G1GMB(2G)
설명:
FM6BD1G1GMB 1.8V 1Gb NAND 플래시(128Mbx8) 1.8V 1Gb LPDDR2 SDRAM(32Mbx32) 45ns 400/533MHz
범주:
집적 회로(IC)-FM6BD1G1GMB
패키지/케이스:
10.5x8(mm) 162BGA
작동 온도:
-40°C ~ 85°C(타)
장착 유형:
표면 실장
제조업체:
ESMT
기본 제품 번호:
FM6BD1G1GMB
부품 번호:
FM6BD1G1GMB-1.8BLCEFM6BD1G1GMB(2M) FM62D1G1GMB(2G) FM6BD1G1GMB(2G)
도입

FM6BD1G1GMB-1.8BLCE 1G+1G(NAND 플래시 + LPDDR2) FM6BD1G1GMB(2M) FM62D1G1GMB(2G) FM6BD1G1GMB(2G)

설명 :FM6BD1G1GMB 1.8V 1Gb NAND 플래시(128Mbx8) 1.8V 1Gb LPDDR2 SDRAM(32Mbx32) 45ns 400/533MHz 10.5x8(mm) 162BGA
FM6BD1G1GMB-1.8BLCE

FM6BD1G1GMB-1.8BLCE 1G+1G(NAND 플래시 + LPDDR2) FM6BD1G1GMB(2M) FM62D1G1GMB(2G) FM6BD1G1GMB(2G)

 
더 많은 MCP 플래시 메모리 IC 부품 번호:
1G+1G(NAND 플래시 + LPDDR2)    
부품_번호 설명 속도(MHZ) 패키지
FM6BD1G1GMB(2M) 1.8V 1Gb NAND 플래시(128Mbx8) + 1.8V 1Gb LPDDR2 SDRAM(32Mbx32) 45ns, 400/533MHz 10.5x8(mm), 162볼
FM62D1G1GMB(2G) 1.8V 1Gb NAND 플래시(128Mbx8) + 1.8V 1Gb LPDDR2 SDRAM(64Mbx16) 45ns, 400/533MHz 10.5x8(mm), 162볼
FM6BD1G1GMB(2G) 1.8V 1Gb NAND 플래시(128Mbx8) + 1.8V 1Gb LPDDR2 SDRAM(32Mbx32) 45ns, 400/533MHz 10.5x8(mm), 162볼
       
2G+1G(낸드플래시 + LPDDR2)    
부품_번호 설명 속도(MHZ) 패키지
FM62D2G1GXA(2U) 1.8V 2Gb NAND 플래시(256Mbx8) + 1.8V 1Gb LPDDR2 SDRAM(64Mbx16) 30ns, 400/533MHz 10.5x8(mm), 162볼
       
2G+2G(NAND 플래시 + LPDDR2)    
부품_번호 설명 속도(MHZ) 패키지
FM6BD2G2GXA(2M) 1.8V 2Gb NAND 플래시(256Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR2 SDRAM(64Mbx32) 30ns; 400/533MHz 10.5x8(mm), 162볼
FM6BD2G2GXA(2L) 1.8V 2Gb NAND 플래시(256Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR2 SDRAM(64Mbx32) 30ns; 533MHz 10.5x8(mm), 162볼
FM62D2G2GXA(2L) 1.8V 2Gb NAND 플래시(256Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR2 SDRAM(128Mbx16) 30ns; 533MHz 10.5x8(mm), 162볼
FM62D2G2GKA (2Q) 1.8V 2Gb NAND 플래시(256Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR2 SDRAM(128Mbx16) 45ns; 533MHz 10.5x8(mm), 162볼
FM6BD2G2GKA (2Q) 1.8V 2Gb NAND 플래시(256Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR2 SDRAM(64Mbx32) 45ns; 533MHz 10.5x8(mm), 162볼
       
2G+2G(NAND 플래시 + LPDDR4x)    
부품_번호 설명 속도(MHZ) 패키지
FM6HZ2G2GXA(2A) 1.8V 2Gb NAND 플래시(256Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR4x SDRAM(128Mbx16) 30ns; 1866MHz 9.5x8(mm), 149볼
       
4G+2G(NAND 플래시 + LPDDR2)    
부품_번호 설명 속도(MHZ) 패키지
FM6BD4G2GXB(2V) 1.8V 4Gb NAND 플래시(512Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR2 SDRAM(64Mbx32) 30ns; 533MHz 10.5x8(mm), 162볼
FM6BD4G2GXB(2X) 1.8V 4Gb NAND 플래시(512Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR2 SDRAM(64Mbx32) 30ns; 533/400MHz 10.5x8(mm), 162볼
FM62D4G2GXB(2V) 1.8V 4Gb NAND 플래시(512Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR2 SDRAM(128Mbx16) 30ns; 533MHz 10.5x8(mm), 162볼
FM6BD4G2GKA(2J) 1.8V 4Gb NAND 플래시(512Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR2 SDRAM(64Mbx32) 45ns; 533MHz 10.5x8(mm), 162볼
       
4G+2G(NAND 플래시 + LPDDR4x)    
부품_번호 설명 속도(MHZ) 패키지
FM6HZ4G2GXB 1.8V 4Gb NAND 플래시(512Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR4x SDRAM(128Mbx16) 30ns; 1866MHz 9.5x8(mm), 149볼
       
4G+4G(낸드플래시+LPDDR2)    
부품_번호 설명 속도(MHZ) 패키지
FM6BD4G4GXB(2X) 1.8V 4Gb NAND 플래시(512Mbx8) + 1.8V 4Gb LPDDR2 SDRAM(128Mbx32) 30ns; 400/533MHz 10.5x8(mm), 162볼
FM6BD4G4GXMB(2V) 1.8V 4Gb NAND 플래시(512Mbx8) + 1.8V 4Gb LPDDR2 SDRAM(128Mbx32) 30ns; 533MHz 10.5x8(mm), 162볼
FM6BD4G4GKMA(2J) 1.8V 4Gb NAND 플래시(512Mbx8) + 1.8V 4Gb LPDDR2 SDRAM(128Mbx32) 45ns; 533MHz 10.5x8(mm), 162볼
       
4G+4G(NAND 플래시 + LPDDR4x)    
부품_번호 설명 속도(MHZ) 패키지
FM6HZ4G4GXB 1.8V 4Gb NAND 플래시(512Mbx8) + 1.8V 4Gb LPDDR4x SDRAM(256Mbx16) 30ns; 1866/2133MHz 9.5x8(mm), 149볼
       
8G+8G(NAND 플래시 + LPDDR4x)    
부품_번호 설명 속도(MHZ) 패키지
FM6HZ8G8GXDZB(2H) 1.8V 4Gb x2die NAND 플래시(512Mbx8) + 1.8V 4Gb x2die LPDDR4x SDRAM(256Mbx16) 30ns; 1866/2133MHz 9.5x8(mm), 149볼
       
16G+16G(NAND 플래시 + LPDDR4x)    
부품_번호 설명 속도(MHZ) 패키지
FM6HZ16G16GXA (2D) 1.8V 8Gb x2die NAND 플래시(1024Mbx8) + 1.8V 16Gb x1die LPDDR4x SDRAM(1Gbx16) 30ns; 2133MHz  
 
애플리케이션:

자동차
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FM6BD1G1GMB-1.8BLCE 1G+1G(NAND 플래시 + LPDDR2) FM6BD1G1GMB(2M) FM62D1G1GMB(2G) FM6BD1G1GMB(2G)

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Elite Semiconductor Microelectronics Technology Inc.(ESMT)는 1998년 6월 대만 신주 과학 산업 단지에서 설립된 전문 IC 설계 회사입니다. 회사의 주요 사업에는 자체 브랜드 IC 제품 설계, 제조, 판매 및 기술 서비스가 포함됩니다. ESMT는 2002년 3월 대만 증권 거래소(코드 3006)에 성공적으로 상장되었습니다.

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ESMT SPI NAND 플래시 제품 추가 재고:

SPI 낸드      
1GB      
부품 번호 설명 속도(MHz) 패키지
F50L1G41LB(2M) SPI 낸드 플래시, 3.3V 104MHz 8접점 WSON
F50D1G41LB(2M) SPI 낸드 플래시, 1.8V 50MHz 8접점 WSON
F50L1G41XA(2B) SPI 낸드 플래시, 3.3V 104MHz 8접점 WSON/24볼 BGA
       
2GB      
부품 번호 설명 속도(MHz) 패키지
F50L2G41XA(2B) SPI 낸드 플래시, 3.3V 104MHz 8접점 WSON
F50L2G41XA (2BE) SPI 낸드 플래시, 3.3V 104MHz 8접점 LGA
F50D2G41XA(2BE) SPI 낸드 플래시, 1.8V 83MHz 8접점 LGA
F50D2G41XA(2B) SPI 낸드 플래시, 1.8V 83/104MHz 8접점 WSON
       
4GB      
부품 번호 설명 속도(MHz) 패키지
F50D4G41XB(2X) SPI 낸드 플래시 1.8V 83MHz 8접점 LGA
F50L4G41XB(2X) SPI 낸드 플래시, 3.3V 104MHz 8접점 WSON
F50D4G41XB(2XE) SPI 낸드 플래시 1.8V 83MHz 8접점 LGA
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M12L5121632A-6TG2T 166MHz TSOP M12L5121632A-7TG2T 143MHz TSOP 54 M12L5121632A-5BG2T 200MHz BGA M12L5121632A-6BG2T 166MHz BGA M12L5121632A-7BG2T 143MHz BGA

M12L5121632A-6TG2T 166MHz TSOP M12L5121632A-7TG2T 143MHz TSOP 54 M12L5121632A-5BG2T 200MHz BGA M12L5121632A-6BG2T 166MHz BGA M12L5121632A-7BG2T 143MHz BGA

M12L5121632A 32Mbx16 SDRAM 3.3V 8K 143/166/200MHz 54pin TSOPII/54FBGA IC M12L5121632A-5TG2T
M13S64164A-5TG M13S64164A-5T M13S64164A(2C) ESMT DRAM DDR SDRAM 메모리 IC

M13S64164A-5TG M13S64164A-5T M13S64164A(2C) ESMT DRAM DDR SDRAM 메모리 IC

ESMT DRAM DDR SDRAM Memory IC M13S64164A(2C) 4Mbx16 DDR SDRAM 2.5V 4K 166/200/250MHz
M12L2561616A-6TG2T M12L2561616A-6BIG2S ESMT SDRAM 3.3V 메모리 IC

M12L2561616A-6TG2T M12L2561616A-6BIG2S ESMT SDRAM 3.3V 메모리 IC

M12L2561616A (2T) M12L16161A (2R) M12L16164A M12L64322A M12L128168A M12L5121632ASDRAM
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