F59L4G81KSA-25BCIG2N BGA67 F59L4G81KSA-25TIG2N 48TSOPI F59L4G81KSA-25BIG2N BGA63
제조 업체:
ESMT(엘리트 반도체 마이크로일렉트로닉스 기술)
기술:
ESMT DRAM DDR SDRAM 메모리 IC M13S64164A(2C) 4Mbx16 DDR SDRAM 2.5V 4K 166/200/250MHz
범주:
집적 회로 IC
입하됩니다:
재고 있음
가격:
US$0.80
결제 방법:
티/티
배송 방법:
표현하다
상술
특징:
F59L4G81KSA(2N) 4Gbit(512M x 8) 3.3V NAND 플래시 메모리 IC
제품명:
F59L4G81KSA-25BCIG2N BGA67 F59L4G81KSA-25TIG2N 48TSOPI F59L4G81KSA-25BIG2N BGA63
범주:
집적회로(IC)-F59L4G81KSA
패키지/케이스:
TSOP /BGA
작동 온도:
-40°C ~ 85°C(타)
장착 유형:
표면 실장
제조업체:
ESMT
기본 제품 번호:
F59L4G81KSA
도입
F59L4G81KSA (2N) 4Gbit (512M x 8) 3.3V NAND 플래시 메모리 IC
- F59L4G81KSA-25BCIG2N BGA67 F59L4G81KSA-25TIG2N 48TSOPI F59L4G81KSA-25BIG2N BGA63
작동 온도 조건 -40°C ~ 85°C
일반 설명
이 장치는 4Gb SLC NAND 플래시 메모리이며, 일부 특수 작업 및 응용 프로그램을 위해 2Gb 칩으로 쌓여 있습니다.장치에는 2 개의 2176 바이트 정적 레지스터가 있으며 레지스터와 메모리 셀 배열 사이에 프로그램 및 읽기 데이터를 2176 바이트 증가로 전송 할 수 있습니다.삭제 작업은 단일 블록 단위 (128Kbyte + 8Kbyte) 에서 구현됩니다.이 장치는 주소 및 데이터 입력/출력, 그리고 명령 입력 모두에 I/O 핀을 이용하는 메모리 장치입니다.지우기 및 프로그램 작업은 자동으로 실행됩니다 장치가 솔리드 스테이트 파일 저장, 음성 녹화,고밀도 비휘발성 메모리 데이터 저장을 필요로 하는 고정 카메라 및 다른 시스템에 대한 이미지 파일 메모리.
엘리트 반도체 마이크로 전자 기술 Inc. (ESMT) 는 1998년 6월에 타이완의 Hsinchu 과학 산업 공원에서 설립된 전문 IC 설계 회사이다.회사의 주요 사업은 자체 브랜드 IC 제품 디자인, 제조, 판매 및 기술 서비스. ESMT는 2002년 3월 대만 증권거래소 코드 3006에 성공적으로 상장했습니다.
주문 정보:
| DRAM DDR SDRAM | |||||
| 64MB | |||||
| 부문 번호 | 조직 | 설명 | 리프레시 | 속도 (mHz) | 패키지 |
| M13S64164A ((2C) | 4Mbx16 | DDR SDRAM 2.5V | 4K | 166/200/250MHz | 66 TSOPII |
| M13S64164A-5TG M13S64164A-5T | |||||
| 128MB | |||||
| 부문 번호 | 조직 | 설명 | 리프레시 | 속도 (mHz) | 패키지 |
| M13S128168A (2S) | 8Mbx16 | DDR SDRAM 2.5V | 4K | 160/200/250MHz | 66TSOPII/ 60BGA |
| 256MB | |||||
| 부문 번호 | 조직 | 설명 | 리프레시 | 속도 (mHz) | 패키지 |
| M13S2561616A ((2T) | 16Mbx16 | DDR SDRAM 2.5V | 7.8us | 166/200/250MHz | 66TSOPII/ 60BGA |
| 512MB | |||||
| 부문 번호 | 조직 | 설명 | 리프레시 | 속도 (mHz) | 패키지 |
| M13S5121632A ((2T) | 32Mbx16 | DDR SDRAM 2.5V | 7.8us | 166/200MHz | 66 핀 TSOPII |
| DDR2 SDRAM | |||||
| 128MB | |||||
| 부문 번호 | 조직 | 설명 | 리프레시 | 속도 (mHz) | 패키지 |
| M14D128168A (2Y) | 8Mbx16 | DDRII SDRAM, 1.8V | 4K | 400/533/600/667MHz | 84 볼 FBGA |
| 256MB | |||||
| 부문 번호 | 조직 | 설명 | 리프레시 | 속도 (mHz) | 패키지 |
| M14D2561616A ((2S) | 16Mbx16 | DDRII SDRAM, 1.8V | 8K | 400/533/667MHz | 84 볼 BGA |
| M14D2561616A ((2C) | 16Mbx16 | DDRII SDRAM, 1.8V | 8K | 400/533/667MHz | 84 볼 BGA |
| 512MB | |||||
| 부문 번호 | 조직 | 설명 | 리프레시 | 속도 (mHz) | 패키지 |
| M14D5121632A ((2S) | 32Mbx16 | DDRII SDRAM, 1.8V | - | 400/533/600/667MHz | 84 볼 BGA |
| M14D5121632A (2M) | 32Mbx16 | DDRII SDRAM, 1.8V | 8K | 400/533/667MHz | 84 볼 BGA |
| 1GB | |||||
| 부문 번호 | 조직 | 설명 | 리프레시 | 속도 (mHz) | 패키지 |
| M14D1G1664A (2P) | 64Mbx16 | DDRII SDRAM 1.8V | 8K | 400/533/600/667MHz | 84 볼 BGA |
| M14D1G8128A (2P) | 128Mbx8 | DDRII SDRAM 1.8V | 8K | 400/533/600/667MHz | 60 볼 BGA |
| DDR3(L) SDRAM | |||||
| 512MB | |||||
| 부문 번호 | 조직 | 설명 | 리프레시 | 속도 (mHz) | 패키지 |
| M15T5121632A | 32Mbx16 | DDRIII SDRAM 1.35V/ 1.5V | - | 800/933MHz | 96 볼 BGA |
| 1GB | |||||
| 부문 번호 | 조직 | 설명 | 리프레시 | 속도 (mHz) | 패키지 |
| M15T1G1664A (2S) | 64Mbx16 | DDRIII SDRAM 1.35V/ 1.5V | - | 933/1066MHz | 96 BAll BGA |
| M15T1G8128A ((2S) | 128Mbx8 | DDRIII SDRAM 1.35V/ 1.5V | - | 933/1066MHz | 78 볼 BGA |
| M15T1G1664A (2T) | 64Mbx16 | DDRIII SDRAM 1.35V/ 1.5V | - | 933/1066MHz | 96 BAll BGA |
| M15T1G1664A (2Z) | 64Mbx16 | DDRIII SDRAM 1.35V/ 1.5V | - | 933/1066MHz | 96 BAll BGA |
| M15F1G1664A (2S) | 64Mbx16 | DDRIII SDRAM 1.5V | - | 933/1066/1200MHz | 96 BAll BGA |
| 2Gb | |||||
| 부문 번호 | 조직 | 설명 | 리프레시 | 속도 (mHz) | 패키지 |
| M15T2G8256A ((2R) | 256Mbx8 | DDRIII SDRAM 1.35V/ 1.5V | - | 800/933/1066MHz | 78 볼 BGA |
| M15T2G16128A ((2R) | 128Mbx16 | DDRIII SDRAM 1.35V/ 1.5V | - | 800/933MHz | 96 볼 BGA |
| M15T2G16128A ((2P) | 128Mbx16 | DDRIII SDRAM 1.35V/ 1.5V | - | 800/933/1066MHz | 96 볼 BGA |
| M15T2G16128A (2D) | 128Mbx16 | DDRIII SDRAM 1.35V/ 1.5V | - | 933/1066MHz | 96 볼 BGA |
| M15T2G8256A (2D) | 256Mbx8 | DDRIII SDRAM 1.35V/ 1.5V | - | 933/1066MHz | 78 볼 BGA |
| 4Gb | |||||
| 부문 번호 | 조직 | 설명 | 리프레시 | 속도 (mHz) | 패키지 |
| M15T4G16256A (2S) | 256Mbx16 | DDRIII SDRAM 1.35V/ 1.5V | - | 800/933/1066MHz | 96 볼 BGA |
| M15T4G16256A ((2C) | 256Mbx16 | DDRIII SDRAM 1.35V/ 1.5V | - | 800/933/1066MHz | 96 볼 BGA |
| M15T4G16256A (2P) | 256Mbx16 | DDRIII SDRAM 1.35V/ 1.5V | - | 933/1066MHz | 96 볼 BGA |
| M15T4G8512A ((2S) | 512Mbx8 | DDRIII SDRAM 1.35V/ 1.5V | - | 800/933/1066MHz | 78 볼 BGA |
| M15T4G8512A ((2C) | 512Mbx8 | DDRIII SDRAM 1.35V/ 1.5V | - | 800/933/1066MHz | 78 볼 BGA |
| 8Gb | |||||
| 부문 번호 | 조직 | 설명 | 리프레시 | 속도 (mHz) | 패키지 |
| M15T8G16512A ((2S) | 512Mbx16 | DDRIII SDRAM 1.35V/1.5V | - | 800/933/1066MHz | 96 볼 BGA |
| DDR4 SDRAM | |||||
| 4Gb | |||||
| 부문 번호 | 조직 | 설명 | 리프레시 | 속도 (mHz) | 패키지 |
| M16U4G16256A ((2Z) | 256Mbx16 | DDR4 1.2V | - | 1333/ 1600MHz | 96 볼 BGA |
| M16U4G8512A ((2Z) | 512Mbx8 | DDR4 1.2V | - | 1333/ 1600MHz | 78 볼 BGA |
| LPSDR SDRAM | |||||
| 64MB | |||||
| 부문 번호 | 조직 | 설명 | 리프레시 | 속도 (mHz) | 패키지 |
| M52D64322A (2S) | 2Mbx32 | LPSDR SDRAM 1.8V | 4K | 166MHz | 54 공 FBGA |
| 256MB | |||||
| 부문 번호 | 조직 | 설명 | 리프레시 | 속도 (mHz) | 패키지 |
| M52D2561616A ((2F) | 16Mbx16 | LPSDR SDRAM 1.8V | 8K | 143/166/200MHz | 54 공 FBGA |
| M52D256328A ((2F) | 8Mbx32 | LPSDR SDRAM 1.8V | 4K | 143/166MHz | 90볼 FBGA |
| 512MB | |||||
| 부문 번호 | 조직 | 설명 | 리프레시 | 속도 (mHz) | 패키지 |
| M52D5123216A | 16Mbx32 | LPSDR SDRAM 1.8V | 8K | 143/166MHz | 90 볼 BGA |
| M52D5121632A | 32Mbx16 | LPSDR SDRAM 1.8V | 8K | 143/166/200MHz | 54 공 FBGA |
| LPDDR SDRAM | |||||
| 64MB | |||||
| 부문 번호 | 조직 | 설명 | 리프레시 | 속도 (mHz) | 패키지 |
| M53D64164A (2C) | 4Mbx16 | LPDDR SDRAM 1.8V | 4K | 200/220MHz | 60 볼 BGA |
| M13D64322A (2S) | 2Mbx32 | LPDDR SDRAM 1.8V | 4K | 200/222/250MHz | 144 공 FBGA |
| 256MB | |||||
| 부문 번호 | 조직 | 설명 | 리프레시 | 속도 (mHz) | 패키지 |
| M53D2561616A (2F) | 16Mbx16 | LPDDR SDRAM 1.8V | 8K | 133/166/200MHz | 60 볼 BGA |
| M53D256328A (2F) | 8Mbx32 | LPDDR SDRAM 1.8V | 8K | 133/166/200MHz | 144 공 FBGA |
| 512MB | |||||
| 부문 번호 | 조직 | 설명 | 리프레시 | 속도 (mHz) | 패키지 |
| M53D5121632A | 32Mbx16 | LPDDR SDRAM 1.8V | 8K | 200MHz | 60 볼 BGA |
| M53D5123216A | 16Mbx32 | LPDDR SDRAM 1.8V | 8K | 200MHz | 144 공 FBGA |
| 1GB | |||||
| 부문 번호 | 조직 | 설명 | 리프레시 | 속도 (mHz) | 패키지 |
| M53D1G1664A | 64Mbx16 | LPDDR SDRAM 1.8V | 8K | 133/166/200MHz | 60 볼 BGA |
| M53D1G3232A | 32Mbx32 | LPDDR SDRAM 1.8V | 8K | 133/166/200MHz | 144 공 FBGA |
| LPDDR2 SDRAM | |||||
| 512MB | |||||
| 부문 번호 | 조직 | 설명 | 리프레시 | 속도 (mHz) | 패키지 |
| M54D5121632A | 32Mbx16 | LPDDR2 SDRAM 1.8V/1.2V | - | 400/ 533MHz | 134 볼 BGA |
| M54D5123216A | 16Mbx32 | LPDDR2 SDRAM 1.8V/1.2V | - | 400/ 533MHz | 134 볼 BGA |
| 1GB | |||||
| 부문 번호 | 조직 | 설명 | 리프레시 | 속도 (mHz) | 패키지 |
| M54D1G1664A | 64Mbx16 | LPDDR2 SDRAM 1.8V/1.2V | - | 333/400/533MHz | 134 BGA |
| M54D1G1664A (2G) | 64Mbx16 | LPDDR2 SDRAM 1.8V/1.2V | - | 400/533MHz | 134 BGA |
| M54D1G3232A (2G) | 32Mbx32 | LPDDR2 SDRAM 1.8V/1.2V | - | 400/533MHz | 134 BGA |
| M54D1G3232A | 32Mbx32 | LPDDR2 SDRAM 1.8V/1.2V | - | 333/400/533MHz | 134 BGA |
| 2Gb | |||||
| 부문 번호 | 조직 | 설명 | 리프레시 | 속도 (mHz) | 패키지 |
| M54D2G3264A | 64Mbx32 | LPDDR2 SDRAM 1.8V/1.2V | - | 333/400/533MHz | 134 볼 BGA |
| M54D2G16128A | 128Mbx16 | LPDDR2 SDRAM 1.8V/1.2V | - | 333/400/533MHz | 134 볼 BGA |
| LPDDR3 SDRAM | |||||
| 1GB | |||||
| 부문 번호 | 조직 | 설명 | 리프레시 | 속도 (mHz) | 패키지 |
| M55D1G3232A ((2Y) | 32Mbx32 | LPDDR3 SDRAM 1.8V/1.2V | - | 800/ 933/ 1066 MHz | 178 볼 BGA |
| M55D1G1664A (2Y) | 64Mbx16 | LPDDR3 SDRAM 1.8V/1.2V | - | 800/ 933/ 1066 MHz | 178 볼 BGA |
| 4Gb | |||||
| 부문 번호 | 조직 | 설명 | 리프레시 | 속도 (mHz) | 패키지 |
| M55D4G16256A ((2R) | 256Mbx16 | LPDDR3 SDRAM 1.8V/1.2V | - | 800/933/1066MHz | 178 볼 BGA |
| M55D4G32128A ((2R) | 128Mbx32 | LPDDR3 SDRAM 1.8V/1.2V | - | 800/933/1066MHz | 178 볼 BGA |
| LPDDR4x SDRAM | |||||
| 2Gb | |||||
| 부문 번호 | 조직 | 설명 | 리프레시 | 속도 (mHz) | 패키지 |
| M56Z2G16128A (2R) | 128Mbx16 | LPDDR4x SDRAM, | - | 1866/2133MHz | 200 볼 BGA |
| 4Gb | |||||
| 부문 번호 | 조직 | 설명 | 리프레시 | 속도 (mHz) | 패키지 |
| M56Z4G16256A ((2H) | 256Mbx16 | LPDDR4x SDRAM, | - | 1866/2133MHz | 200 볼 BGA |
| M56Z4G32128A (2R) | 128Mbx32 | LPDDR4x SDRAM, | - | 1866/2133MHz | 200 볼 BGA |
| 8Gb | |||||
| 부문 번호 | 조직 | 설명 | 리프레시 | 속도 (mHz) | 패키지 |
| M56Z8G32256A | 256Mbx32 | LPDDR4x SDRAM, | - | 1866MHz | 200 볼 BGA |
| M56Z8G32256A (2H) | 256Mbx32 | LPDDR4x SDRAM, | - | 2133MHz | 200 볼 BGA |
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FM73E885CQPB(2R) FM73E885CQP1B(2R) FM73E3285CRTP1B(2R EPOP
FM73E885CQP1B HS400 800/933MHz 136BGA 8GB eMMC+8Gb LPDDR3 or 32GB eMMC+8Gb LPDDR3 EPOP FM73E3285CRTP1B(2R)
| 이미지 | 부분 # | 기술 | |
|---|---|---|---|
|
|
FC51L04SMSA FC51L04SFSA(2A) FC51L04SFSSA(2AF) FC51L08SFY3A FC51L08SFSA(2A) FC51J32SJTS2A(2D) FC51E64SBTS2A(2A) |
FC51L04SFSA 2D MLC eMMC5.1 200MHz 153BGA eMCC Memory ICs FC51L04SFSAXSA1-2.58WE
|
|
|
|
FM73E885CQPB(2R) FM73E885CQP1B(2R) FM73E3285CRTP1B(2R EPOP |
FM73E885CQP1B HS400 800/933MHz 136BGA 8GB eMMC+8Gb LPDDR3 or 32GB eMMC+8Gb LPDDR3 EPOP FM73E3285CRTP1B(2R)
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